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MRF6S21060NBR1

MRF6S21060NBR1

참조 용

부품 번호 MRF6S21060NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S21060NBR1
설명 FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21060NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21060NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21060NBR1, MRF6S21060NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,438.41 KB)
PDFMRF6S21060NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S21060NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.12GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

관심을 가질만한 제품

CE3521M4

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

20GHz

이득

11.9dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

1.05dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

4-Super Mini Mold

2N5951_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

13mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

175MHz

이득

13dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

1.93GHz

이득

17.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880XS

공급자 장치 패키지

NI-880XS

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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