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MRF6V12250HSR5

MRF6V12250HSR5

참조 용

부품 번호 MRF6V12250HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF6V12250HSR5
설명 FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,788
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V12250HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V12250HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V12250HSR5, MRF6V12250HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,320.3 KB)
PDFMRF6V12250HSR3 데이터 시트 표지
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MRF6V12250HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz
이득20.3dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력275W
전압-정격100V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

430mA

전원-출력

3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112A

공급자 장치 패키지

CDFM6

LET9045C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

59W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

PTFA181001GL V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

PG-63248-2

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1180W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE275

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

29dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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