MRF6V12250HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V12250HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V12250HSR5 |
| 설명 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,788 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V12250HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V12250HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V12250HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.03GHz |
| 이득 | 20.3dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 275W |
| 전압-정격 | 100V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 520MHz 이득 13.5dB 전압-테스트 12.5V 전류 정격 (Amps) 6A 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 35W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 TO-272BA 공급자 장치 패키지 TO-272-6 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.88GHz ~ 1.91GHz 이득 16dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 24W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 17.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 9A 소음 수치 - 현재-테스트 300mA 전원-출력 59W 전압-정격 80V 패키지 / 케이스 M243 공급자 장치 패키지 M243 |
제조업체 IXYS-RF 시리즈 DE 트랜지스터 유형 2 N-Channel (Dual) 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 8A 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 1180W 전압-정격 1000V 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DE275 |
