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MRF8P20140WHSR3

MRF8P20140WHSR3

참조 용

부품 번호 MRF8P20140WHSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8P20140WHSR3
설명 FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,538
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P20140WHSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P20140WHSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P20140WHSR3, MRF8P20140WHSR3 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 516.91 KB)
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MRF8P20140WHSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.88GHz ~ 1.91GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력24W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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주파수

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

520MHz

이득

17.7dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

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패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

BF245B

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BF908,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

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