MRF6V12500HR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V12500HR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V12500HR5 |
| 설명 | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V12500HR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V12500HR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V12500HR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.03GHz |
| 이득 | 19.7dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 200mA |
| 전원-출력 | 500W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.66GHz 이득 14.6dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.8A 전원-출력 35W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.81GHz 이득 16.1dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1A 전원-출력 63W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 175MHz 이득 13dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) 4A 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 8W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
