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MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

참조 용

부품 번호 MRF6V12500HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF6V12500HSR5
설명 FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,286
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V12500HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V12500HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V12500HSR5, MRF6V12500HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 805.2 KB)
PDFMRF6V12500HSR3 데이터 시트 표지
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MRF6V12500HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz
이득19.7dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트200mA
전원-출력500W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

900mA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

MMBFJ310LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

PD85035S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

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