MRF6V2010NBR1
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V2010NBR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V2010NBR1 |
| 설명 | FET RF 110V 220MHZ TO272-2 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,202 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V2010NBR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V2010NBR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V2010NBR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 220MHz |
| 이득 | 23.9dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 30mA |
| 전원-출력 | 10W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | TO-272BC |
| 공급자 장치 패키지 | TO-272-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 894MHz 이득 18dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.95A 전원-출력 220W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36260-2 |
제조업체 M/A-Com Technology Solutions 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 0Hz ~ 3GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 800mA 소음 수치 - 현재-테스트 15mA 전원-출력 500mW 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 40.68MHz 이득 16dB 전압-테스트 150V 전류 정격 (Amps) 13A 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 150W 전압-정격 1000V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 T3 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.62A 전원-출력 55W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
