MRF6V2010GNR5 데이터 시트
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NXP
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-270BA 공급자 장치 패키지 TO-270G-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-272BC 공급자 장치 패키지 TO-272-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-272BC 공급자 장치 패키지 TO-272-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-270BA 공급자 장치 패키지 TO-270G-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 220MHz 이득 23.9dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 30mA 전원-출력 10W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-270AA 공급자 장치 패키지 TO-270-2 |
