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MRF6V2010NBR5

MRF6V2010NBR5

참조 용

부품 번호 MRF6V2010NBR5
PNEDA 부품 번호 MRF6V2010NBR5
설명 FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V2010NBR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V2010NBR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V2010NBR5, MRF6V2010NBR5 데이터 시트 (총 페이지: 26, 크기: 1,456.06 KB)
PDFMRF6V2010GNR5 데이터 시트 표지
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MRF6V2010NBR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수220MHz
이득23.9dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력10W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-272BC
공급자 장치 패키지TO-272-2

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주파수

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이득

20.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

15.7A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

500W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BLF882SU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

705MHz

이득

20.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

CDFM4

BLF8G20LS-160VU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

35.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1239B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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