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MRF7S15100HR3

MRF7S15100HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S15100HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S15100HR3
설명 FET RF 65V 1.51GHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S15100HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S15100HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S15100HR3, MRF7S15100HR3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 277.26 KB)
PDFMRF7S15100HR5 데이터 시트 표지
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MRF7S15100HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.51GHz
이득19.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력23W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

CGHV1F025S

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

16dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

29W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x3)

PTFA192401FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

LET9120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

18dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

150W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M246

공급자 장치 패키지

M246

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

900MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

600mA

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

32.2dB

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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PIC32MX250F128D-I/PT

PIC32MX250F128D-I/PT

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TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG

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SRP4020-2R2M

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742792410

742792410

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BC81725MTF

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AD5676RBRUZ

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