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MRF7S18125BHR5

MRF7S18125BHR5

참조 용

부품 번호 MRF7S18125BHR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S18125BHR5
설명 FET RF 65V 1.93GHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S18125BHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S18125BHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S18125BHR5, MRF7S18125BHR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 521.74 KB)
PDFMRF7S18125BHSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S18125BHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력125W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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HEMT

주파수

1.8GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

32W

전압-정격

48V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

22dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

USQ

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

12W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

MRFG35010

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

9W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

공급자 장치 패키지

NI-360HF

PTFA192001FV4FWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

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XC2C256-7VQG100I

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TXH 120-112

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CDSOT23-T24CAN

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T520V337M2R5ATE009

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AD9240AS

AD9240AS

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749022015

749022015

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CK45-R3DD102KAVRA

CK45-R3DD102KAVRA

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CAP CER 1000PF 2KV RADIAL