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MRFG35010

MRFG35010

참조 용

부품 번호 MRFG35010
PNEDA 부품 번호 MRFG35010
설명 FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 11 - 3월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35010 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35010
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35010, MRFG35010 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 407.34 KB)
PDFMRFG35010R1 데이터 시트 표지
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MRFG35010 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트12V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트130mA
전원-출력9W
전압-정격15V
패키지 / 케이스NI-360HF
공급자 장치 패키지NI-360HF

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

CGH40180PP

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 2.5GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

56A

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

220W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440199

공급자 장치 패키지

440199

ATF-501P8-BLK

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

15dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

1dB

현재-테스트

280mA

전원-출력

29dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

최근 판매

7443556350

7443556350

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MM3Z4V7T1G

MM3Z4V7T1G

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HSMG-C680

HSMG-C680

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HCM0703-4R7-R

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EPC2045ENGRT

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0458002.DR

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