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MRF7S21110HR3

MRF7S21110HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S21110HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S21110HR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21110HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21110HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21110HR3, MRF7S21110HR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 796.2 KB)
PDFMRF7S21110HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21110HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력33W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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10mA

전원-출력

14dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

ARF460AG

Microsemi

제조업체

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시리즈

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주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

125V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

-

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247CS

BF 5030R E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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N-Channel

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

PG-SOT143R-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

67W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT502B

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