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MRF7S21210HR5

MRF7S21210HR5

참조 용

부품 번호 MRF7S21210HR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S21210HR5
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21210HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21210HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21210HR5, MRF7S21210HR5 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 984.52 KB)
PDFMRF7S21210HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21210HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력63W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

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주파수

849MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

23dBmW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

29W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.14GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10.2A

소음 수치

-

현재-테스트

170mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1130B

공급자 장치 패키지

CDFM4

SD57120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M252

공급자 장치 패키지

M252

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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