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MRF8HP21130HSR5

MRF8HP21130HSR5

참조 용

부품 번호 MRF8HP21130HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF8HP21130HSR5
설명 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8HP21130HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8HP21130HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF8HP21130HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.17GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트360mA
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

45MHz

이득

27dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

CGH25120F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.3GHz ~ 2.7GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

130W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

VRF191

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

22dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

270V

패키지 / 케이스

T11

공급자 장치 패키지

T11

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

PTFA260851E V1 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.68GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-30248-2

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