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MRF8P20140WHR5

MRF8P20140WHR5

참조 용

부품 번호 MRF8P20140WHR5
PNEDA 부품 번호 MRF8P20140WHR5
설명 FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P20140WHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P20140WHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P20140WHR5, MRF8P20140WHR5 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 516.91 KB)
PDFMRF8P20140WHR5 데이터 시트 표지
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MRF8P20140WHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.88GHz ~ 1.91GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력24W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.8MHz ~ 400MHz

이득

26.4dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

179V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244B

공급자 장치 패키지

CDFM6

PTVA030121EAV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz ~ 2.2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

50W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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