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MRF8P9040GNR1

MRF8P9040GNR1

참조 용

부품 번호 MRF8P9040GNR1
PNEDA 부품 번호 MRF8P9040GNR1
설명 FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,510
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P9040GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P9040GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P9040GNR1, MRF8P9040GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 904.93 KB)
PDFMRF8P9040NBR1 데이터 시트 표지
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MRF8P9040GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수960MHz
이득19.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트320mA
전원-출력4W
전압-정격70V
패키지 / 케이스TO-270BB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4 Gull

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제조업체

Ampleon USA Inc.

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주파수

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이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

750W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

15dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

250W

전압-정격

89V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTF180101S V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H32259-2

공급자 장치 패키지

H-32259-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

9.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S

공급자 장치 패키지

NI-400S-240

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 2.17GHz

이득

26dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

104mA

전원-출력

5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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