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MRF8S23120HR3

MRF8S23120HR3

참조 용

부품 번호 MRF8S23120HR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S23120HR3
설명 FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S23120HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S23120HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S23120HR3, MRF8S23120HR3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 494.7 KB)
PDFMRF8S23120HSR5 데이터 시트 표지
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MRF8S23120HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.3GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

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시리즈

-

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주파수

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이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10.2A

소음 수치

-

현재-테스트

170mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1130B

공급자 장치 패키지

CDFM4

PD57060STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

CGHV14800F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.4GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

24A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

900W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440117

공급자 장치 패키지

440117

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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