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MRFE6S9045GNR1

MRFE6S9045GNR1

참조 용

부품 번호 MRFE6S9045GNR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9045GNR1
설명 FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,130
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9045GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9045GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRFE6S9045GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득22.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력10W
전압-정격66V
패키지 / 케이스TO-270BB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4 Gull

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이득

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전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

2.3A

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30.5dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.99GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.25A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.8GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

65W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

CGH35030F

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3.3GHz ~ 3.9GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

30W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

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