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MRFE6VP100HR5

MRFE6VP100HR5

참조 용

부품 번호 MRFE6VP100HR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP100HR5
설명 FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP100HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP100HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HR5 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,281.86 KB)
PDFMRFE6VP100HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6VP100HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수512MHz
이득26dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력100W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.3GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.1GHz ~ 2.2GHz

이득

28.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

105mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OMP-780-16G-1

공급자 장치 패키지

OMP-780-16G-1

BLP7G22-05Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

1W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x4)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

465MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.25A

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

-

이득

-

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

64A

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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CRA2512-FZ-R020ELF

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IP4220CZ6,125

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