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MRF5S4140HR3

MRF5S4140HR3

참조 용

부품 번호 MRF5S4140HR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S4140HR3
설명 FET RF 65V 465MHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,696
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S4140HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S4140HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S4140HR3, MRF5S4140HR3 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,588.27 KB)
PDFMRF5S4140HSR5 데이터 시트 표지
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MRF5S4140HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수465MHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.25A
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

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500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

MRF9210R3

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.45GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

32V

패키지 / 케이스

OM-780-2G

공급자 장치 패키지

OM-780-2 Gull

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.3GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

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