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MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1

참조 용

부품 번호 MRFE6VP5150GNR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP5150GNR1
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,112
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP5150GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP5150GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP5150GNR1, MRFE6VP5150GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,057.16 KB)
PDFMRFE6VP5150NR1 데이터 시트 표지
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MRFE6VP5150GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.1dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력150W
전압-정격133V
패키지 / 케이스TO-270BB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4 Gull

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1.5dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

0Hz ~ 6GHz

이득

16dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

3.5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

25W

전압-정격

160V

패키지 / 케이스

14-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-DFN (3x6)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

132mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

957.5MHz

이득

35dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-2

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

720mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

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