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MRFG35002N6R5

MRFG35002N6R5

참조 용

부품 번호 MRFG35002N6R5
PNEDA 부품 번호 MRFG35002N6R5
설명 FET RF 8V 3.55GHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,500
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35002N6R5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35002N6R5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35002N6R5, MRFG35002N6R5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 232.2 KB)
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MRFG35002N6R5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트65mA
전원-출력1.5W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

280W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-880X-2L2L

공급자 장치 패키지

OM-880X-2L2L

PTFB260605ELV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BLP0427M9S20Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

400MHz ~ 2.7GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1482-1

공급자 장치 패키지

SOT-1482-1

SD56150

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M252

공급자 장치 패키지

M252

BLF9G20LS-160VJ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

35.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

LDMOST

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