MRFG35003M6R5
참조 용
| 부품 번호 | MRFG35003M6R5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFG35003M6R5 |
| 설명 | FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,904 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFG35003M6R5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFG35003M6R5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFG35003M6R5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | pHEMT FET |
| 주파수 | 3.55GHz |
| 이득 | 9dB |
| 전압-테스트 | 6V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 180mA |
| 전원-출력 | 3W |
| 전압-정격 | 8V |
| 패키지 / 케이스 | PLD-1.5 |
| 공급자 장치 패키지 | PLD-1.5 |
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 6GHz 이득 16dB 전압-테스트 40V 전류 정격 (Amps) 950mA 소음 수치 - 현재-테스트 60mA 전원-출력 8W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 12-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 12-DFN (4x3) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.2GHz 이득 21dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 170mA 전원-출력 5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-37248-4 공급자 장치 패키지 H-37248-4 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 80MHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 4mA 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 600W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 4-SMD 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 450MHz 이득 22dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 300W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 TO-270-4 공급자 장치 패키지 TO-270 WB-4 |
