MS2200
참조 용
| 부품 번호 | MS2200 |
| PNEDA 부품 번호 | MS2200 |
| 설명 | RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,534 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MS2200 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MS2200 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MS2200 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 65V |
| 주파수-전환 | 400MHz ~ 500MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 9.7dB |
| 전력-최대 | 1167W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 43.2A |
| 작동 온도 | 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | M102 |
| 공급자 장치 패키지 | M102 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 55V 주파수-전환 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 14dB 전력-최대 127W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 19 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 3.25A 작동 온도 200°C 장착 유형 Stud Mount 패키지 / 케이스 M135 공급자 장치 패키지 M135 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz 이득 15dB 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
