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MS2206A

MS2206A

참조 용

부품 번호 MS2206A
PNEDA 부품 번호 MS2206A
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MS2206A 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MS2206A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MS2206A 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

이득

10dB

전력-최대

1.8W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

82094

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SC5415AE-TD-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6.7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

800mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PCP

BF240_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SC4215-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

주파수-전환

550MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

17dB ~ 23dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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