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MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

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부품 번호 MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
PNEDA 부품 번호 MT29VZZZAC8FQKSL-053-W-ES-G8F-TR
설명 ALL IN ONE MCP 3264G
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

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메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

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기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

137-TFBGA

공급자 장치 패키지

137-TFBGA (10.5x13)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

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전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (8x10)

IS43LR32640A-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-LFBGA

공급자 장치 패키지

90-WBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

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