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MT41K512M8DA-125:P

MT41K512M8DA-125:P

참조 용

부품 번호 MT41K512M8DA-125:P
PNEDA 부품 번호 MT41K512M8DA-125-P
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41K512M8DA-125:P 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K512M8DA-125:P
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K512M8DA-125:P, MT41K512M8DA-125:P 데이터 시트 (총 페이지: 218, 크기: 3,110.25 KB)
PDFMT41K256M16LY-107:N 데이터 시트 표지
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MT41K512M8DA-125:P 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.5ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

관심을 가질만한 제품

70V3379S4BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

576Kb (32K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

IDT71V424YL12PHI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

N25Q128A13TF840F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

M24C16-FMH6TG

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-UFDFN

공급자 장치 패키지

5-UFDFPN (1.7x1.4)

S29CD032J0RFAM033

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

CD-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (1M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

54ns

전압-공급

1.65V ~ 2.75V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

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