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MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

참조 용

부품 번호 MT53B256M64D2TP-062 L XT:C
PNEDA 부품 번호 MT53B256M64D2TP-062-L-XT-C
설명 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53B256M64D2TP-062 L XT:C 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53B256M64D2TP-062 L XT:C
분류반도체메모리 IC기억

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MT53B256M64D2TP-062 L XT:C 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LFBGA

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

1Tb (128G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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메모리 유형

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메모리 포맷

EEPROM

기술

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메모리 크기

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

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