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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

참조 용

부품 번호 MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
PNEDA 부품 번호 MT53B512M32D2DS-053-AAT-E
설명 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
단가
1 ---------- $666.3098
50 ---------- $635.0765
100 ---------- $603.8432
200 ---------- $572.6100
400 ---------- $546.5822
500 ---------- $520.5545
재고 있음 3,435
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
분류반도체메모리 IC기억

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  • MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Price
  • MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Distributor

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스200-WFBGA
공급자 장치 패키지200-WFBGA (10x14.5)

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

70V3599S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

S25FL164K0XBHI023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

S29PL127J70TFI130H

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128M (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

BR24S16FVM-WTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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