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MTM684100LBF

MTM684100LBF

참조 용

부품 번호 MTM684100LBF
PNEDA 부품 번호 MTM684100LBF
설명 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8
제조업체 Panasonic Electronic Components
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예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTM684100LBF 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTM684100LBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MTM684100LBF, MTM684100LBF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 296.14 KB)
PDFMTM684100LBF 데이터 시트 표지
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  • MTM684100LBF Distributor

MTM684100LBF 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1200pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도-40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지WMini8-F1

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A, 7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 15V

전력-최대

3.1W, 2.5W

작동 온도

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장착 유형

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Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.26V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

145mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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Alpha & Omega Semiconductor

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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