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MUR20040CTR

MUR20040CTR

참조 용

부품 번호 MUR20040CTR
PNEDA 부품 번호 MUR20040CTR
설명 DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR20040CTR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR20040CTR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MUR20040CTR, MUR20040CTR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 662.33 KB)
PDFMUR20060CTR 데이터 시트 표지
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MUR20040CTR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 50A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)90ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

136A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.8V @ 400A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

110ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 600V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

FRED

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

260A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 260A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 1200V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M6

공급자 장치 패키지

Y4-M6

DA227YT2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 70V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75-4, SOT-543

공급자 장치 패키지

EMD4

VS-20CTH03SHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

31ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 300V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

MBR30H35CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 35V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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