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MUR805G

MUR805G

참조 용

부품 번호 MUR805G
PNEDA 부품 번호 MUR805G
설명 DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 15,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 11 - 3월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR805G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR805G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MUR805G, MUR805G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 245.29 KB)
PDFMUR805 데이터 시트 표지
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MUR805G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S5D-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

DFLS140LQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

90pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

POWERDI®123

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 123

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

S1GL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SIDC08D120H6X1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 10A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

27µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

작동 온도-접합

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