MV2N4857UB
참조 용
| 부품 번호 | MV2N4857UB |
| PNEDA 부품 번호 | MV2N4857UB |
| 설명 | N CHANNEL JFET |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,256 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MV2N4857UB 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MV2N4857UB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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MV2N4857UB 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500 FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 90mA @ 18V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 10V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) 75 Ohms 전력-최대 500mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 (TO-206AA) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/375 FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 8V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-72 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 8 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 125mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 3-CP |
