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MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

참조 용

부품 번호 MVDF1N05ER2G
PNEDA 부품 번호 MVDF1N05ER2G
설명 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MVDF1N05ER2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MVDF1N05ER2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MVDF1N05ER2G, MVDF1N05ER2G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 110.17 KB)
PDFMMDF1N05ER2G 데이터 시트 표지
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MVDF1N05ER2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

MTM684100LBF

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

WMini8-F1

SIS902DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 38V

전력-최대

15.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.5x6.0)

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1415pF @ 15V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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