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NCP5106APG

NCP5106APG

참조 용

부품 번호 NCP5106APG
PNEDA 부품 번호 NCP5106APG
설명 IC DRIVER HI/LO 600V 8-DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,894
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCP5106APG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP5106APG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP5106APG, NCP5106APG 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 287.44 KB)
PDFNCP5106BMNTWG 데이터 시트 표지
NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 2 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 3 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 4 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 5 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 6 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 7 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 8 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 9 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 10 NCP5106BMNTWG 데이터 시트 페이지 11

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NCP5106APG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 500mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)85ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

SIP41111DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

4V, 7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

75V

상승 / 하강 시간 (일반)

13ns, 15ns

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4420ZM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 13ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6612BCRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

TC4424AVMF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

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