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NCP5111DR2G

NCP5111DR2G

참조 용

부품 번호 NCP5111DR2G
PNEDA 부품 번호 NCP5111DR2G
설명 IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCP5111DR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP5111DR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP5111DR2G, NCP5111DR2G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 100.38 KB)
PDFNCP5111PG 데이터 시트 표지
NCP5111PG 데이터 시트 페이지 2 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 3 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 4 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 5 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 6 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 7 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 8 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 9 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 10 NCP5111PG 데이터 시트 페이지 11

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NCP5111DR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 500mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)85ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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STMicroelectronics

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 1.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 430mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

RT9625AZQW

Richtek USA Inc.

제조업체

Richtek USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 3.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-WQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-WQFN (4x4)

LTC4449EDCB#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6.5V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 6.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.2A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

42V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

HIP2104FRAANZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.63V, 2.06V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

60V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 2ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x4)

ISL6613CB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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