NCP81080DR2G
참조 용
| 부품 번호 | NCP81080DR2G |
| PNEDA 부품 번호 | NCP81080DR2G |
| 설명 | LOW-COST HIGH VOLTAGE DUA |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,338 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NCP81080DR2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NCP81080DR2G |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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NCP81080DR2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 5.5V ~ 20V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1.2V, 1.8V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 500mA, 800mA |
| 입력 유형 | TTL |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 19ns, 17ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 290mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
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