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NDS9925A

NDS9925A

참조 용

부품 번호 NDS9925A
PNEDA 부품 번호 NDS9925A
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,824
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDS9925A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDS9925A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDS9925A, NDS9925A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 186.43 KB)
PDFNDS9925A 데이터 시트 표지
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NDS9925A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

BUK9K5R6-30EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2480pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

710mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 25V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

74A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

161nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2788pF @ 1000V

전력-최대

375W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 15V

전력-최대

475mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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