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NDS9947

NDS9947

참조 용

부품 번호 NDS9947
PNEDA 부품 번호 NDS9947
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDS9947 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDS9947
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDS9947, NDS9947 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 342.32 KB)
PDFNDS9947 데이터 시트 표지
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NDS9947 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds542pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

861pF @ 25V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFBGA

공급자 장치 패키지

9-BGA (1.35x1.35)

IRF7901D1TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMS1D2N03DSD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V, 117nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V

전력-최대

2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

116A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

580nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 100V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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