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NE3210S01

NE3210S01

참조 용

부품 번호 NE3210S01
PNEDA 부품 번호 NE3210S01
설명 FET RF 4V 12GHZ S01
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 2,430
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3210S01 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3210S01
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3210S01, NE3210S01 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,415.36 KB)
PDFNE3210S01-T1B 데이터 시트 표지
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NE3210S01 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득13.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)15mA
소음 수치0.35dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD
공급자 장치 패키지SMD

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

2GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

19mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

45MHz

이득

16dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

30A

소음 수치

-

현재-테스트

250µA

전원-출력

350W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

GTVA263202FC-V1-R2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.62GHz ~ 2.69GHz

이득

17dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

340W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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