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NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

참조 용

부품 번호 NE3508M04-T2-A
PNEDA 부품 번호 NE3508M04-T2-A
설명 FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3508M04-T2-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3508M04-T2-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3508M04-T2-A, NE3508M04-T2-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 494.39 KB)
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NE3508M04-T2-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수2GHz
이득14dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)120mA
소음 수치0.45dB
현재-테스트10mA
전원-출력18dBm
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지F4TSMM, M04

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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이득

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전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

2W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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Cree/Wolfspeed

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

720mA

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37275G-6/2

공급자 장치 패키지

H-37275G-6/2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

512MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

BLC2425M9LS250Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-1270-1

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