NGB8206NT4
참조 용
| 부품 번호 | NGB8206NT4 |
| PNEDA 부품 번호 | NGB8206NT4 |
| 설명 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,532 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NGB8206NT4 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NGB8206NT4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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NGB8206NT4 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 390V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 20A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 50A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| 전력-최대 | 150W |
| 에너지 전환 | - |
| 입력 유형 | Logic |
| 게이트 차지 | - |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | -/5µs |
| 테스트 조건 | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFAST™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40A 전류-수집기 펄스 (Icm) 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 12A 전력-최대 150W 에너지 전환 160µJ (on), 120µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 24nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 18ns/73ns 테스트 조건 400V, 12A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX4™, XPT™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 116A 전류-수집기 펄스 (Icm) 230A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A 전력-최대 380W 에너지 전환 3.13mJ (on), 1.15mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 37ns/145ns 테스트 조건 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 150ns 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXXH) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전류-수집기 펄스 (Icm) 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A 전력-최대 44.6W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 22ns/130ns 테스트 조건 200V, 20A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220F |
