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NGD8201BNT4G

NGD8201BNT4G

참조 용

부품 번호 NGD8201BNT4G
PNEDA 부품 번호 NGD8201BNT4G
설명 IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGD8201BNT4G 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGD8201BNT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGD8201BNT4G, NGD8201BNT4G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 426.79 KB)
PDFNGD8201BNT4G 데이터 시트 표지
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  • NGD8201BNT4G Distributor

NGD8201BNT4G 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 4.5V, 10A
전력-최대115W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/4µs
테스트 조건300V, 6.5A, 1kOhm
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 438µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

APT70GR65B2SCD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

134A

전류-수집기 펄스 (Icm)

260A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

전력-최대

595W

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

305nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/170ns

테스트 조건

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

T-MAX™ [B2]

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

126A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 16A

전력-최대

500W

에너지 전환

4.75mJ (on), 3.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/260ns

테스트 조건

1250V, 16A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

19ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

APT43GA90B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

129A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

전력-최대

337W

에너지 전환

875µJ (on), 425µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/82ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

333W

에너지 전환

1.15mJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/490ns

테스트 조건

600V, 15A, 34Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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