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NGD8201NT4G

NGD8201NT4G

참조 용

부품 번호 NGD8201NT4G
PNEDA 부품 번호 NGD8201NT4G
설명 IGBT 440V 20A 125W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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NGD8201NT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGD8201NT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGD8201NT4G, NGD8201NT4G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 121.94 KB)
PDFNGD8201NT4G 데이터 시트 표지
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NGD8201NT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)440V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
전력-최대125W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/5µs
테스트 조건300V, 9A, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

265nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/285ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

78ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRGS4607DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

전력-최대

58W

에너지 전환

140µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/120ns

테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

48ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC30WSTRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGPF4565

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.88V @ 15V, 30A

전력-최대

30W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11.2ns/40.8ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

STGP4M65DF2

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

16A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

68W

에너지 전환

40µJ (on), 136µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/86ns

테스트 조건

400V, 4A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

133ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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