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NGTB30N60SWG

NGTB30N60SWG

참조 용

부품 번호 NGTB30N60SWG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N60SWG
설명 IGBT 600V 60A 189W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,880
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB30N60SWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N60SWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB30N60SWG, NGTB30N60SWG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 92.99 KB)
PDFNGTB30N60SWG 데이터 시트 표지
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NGTB30N60SWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대189W
에너지 전환750µJ (on), 540µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C57ns/109ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)200ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

전력-최대

60W

에너지 전환

165µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

480V, 7A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

STGFW30V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

58W

에너지 전환

383µJ (on), 233µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

163nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/189ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IGP15N60TXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

전력-최대

130W

에너지 전환

570µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/188ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

STGPL6NC60D

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4IBC30FD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20.3A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

45W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

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