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NGTB40N120SWG

NGTB40N120SWG

참조 용

부품 번호 NGTB40N120SWG
PNEDA 부품 번호 NGTB40N120SWG
설명 IGBT 40A 1200V TO-247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,617
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예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB40N120SWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB40N120SWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB40N120SWG, NGTB40N120SWG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 84.09 KB)
PDFNGTB40N120SWG 데이터 시트 표지
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NGTB40N120SWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전력-최대535W
에너지 전환3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지313nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C116ns/286ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)240ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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IRGB4B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

전력-최대

63W

에너지 전환

130µJ (on), 83µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/100ns

테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IGZ75N65H5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™ 5

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

119A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

395W

에너지 전환

680µJ (on), 430µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

166nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/347ns

테스트 조건

400V, 37.5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

IHW50N65R5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

282W

에너지 전환

740µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/220ns

테스트 조건

400V, 25A, 8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

FGA50N100BNTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

156W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

275nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

RJH60V1BDPE-00#J3

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

전력-최대

52W

에너지 전환

17µJ (on), 110µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/55ns

테스트 조건

300V, 8A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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STPS2H100U

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