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NGTB40N65FL2WG

NGTB40N65FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB40N65FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB40N65FL2WG
설명 IGBT 650V 80A 366W TO247
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB40N65FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB40N65FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB40N65FL2WG, NGTB40N65FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 139.39 KB)
PDFNGTB40N65FL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB40N65FL2WG Distributor

NGTB40N65FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
전력-최대366W
에너지 전환970µJ (on), 440µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C84ns/177ns
테스트 조건400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)72ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

전력-최대

130W

에너지 전환

570µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/188ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전력-최대

240W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/300ns

테스트 조건

300V, 50A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(LH)

APT102GA60L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

183A

전류-수집기 펄스 (Icm)

307A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

전력-최대

780W

에너지 전환

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

294nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/212ns

테스트 조건

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

STGWT20V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

FGY75T95SQDT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

950V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.11V @ 15V, 75A

전력-최대

434W

에너지 전환

8.8mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

137nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28.8ns/117ns

테스트 조건

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

259ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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BZV55C4V7

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0154002.DRT

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