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NM27C128Q200

NM27C128Q200

참조 용

부품 번호 NM27C128Q200
PNEDA 부품 번호 NM27C128Q200
설명 IC EPROM 128K PARALLEL 28CDIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM27C128Q200 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM27C128Q200
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM27C128Q200, NM27C128Q200 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 705.12 KB)
PDFNM27C128Q120 데이터 시트 표지
NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 2 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 3 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 4 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 5 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 6 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 7 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 8 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 9 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 10 NM27C128Q120 데이터 시트 페이지 11

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NM27C128Q200 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - UV
메모리 크기128Kb (16K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간200ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
공급자 장치 패키지28-CDIP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2.1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

20-TSSOP

S25FL128P0XMFI011

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

MT28F400B3WG-8 T TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

80ns

접근 시간

80ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

W29N04GVSIAF

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MT41J128M16HA-15E AIT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

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