Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

NP70N10KUF-E1-AY

NP70N10KUF-E1-AY

참조 용

부품 번호 NP70N10KUF-E1-AY
PNEDA 부품 번호 NP70N10KUF-E1-AY
설명 MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 3,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NP70N10KUF-E1-AY 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NP70N10KUF-E1-AY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NP70N10KUF-E1-AY, NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 261.47 KB)
PDFNP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 표지
NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 2 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 3 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 4 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 5 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 6 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 7 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 8 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 9 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 10 NP70N10KUF-E1-AY 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • NP70N10KUF-E1-AY Datasheet
  • where to find NP70N10KUF-E1-AY
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America NP70N10KUF-E1-AY
  • NP70N10KUF-E1-AY PDF Datasheet
  • NP70N10KUF-E1-AY Stock

  • NP70N10KUF-E1-AY Pinout
  • Datasheet NP70N10KUF-E1-AY
  • NP70N10KUF-E1-AY Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • NP70N10KUF-E1-AY Price
  • NP70N10KUF-E1-AY Distributor

NP70N10KUF-E1-AY 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3750pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta), 120W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

관심을 가질만한 제품

IPD65R950CFDATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CFD2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD20P06L-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

65W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFB17N50LPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2760pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

220W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiperFET™, TrenchT3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

440W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

최근 판매

DF6A6.8FUT1G

DF6A6.8FUT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SC88

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

MAX811SEUS+T

MAX811SEUS+T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

STPS40L40CT

STPS40L40CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

RB496EATR

RB496EATR

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

MAX531BCPD+

MAX531BCPD+

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

DFLS1200-7

DFLS1200-7

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

39213150000

39213150000

Littelfuse

FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP