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NPT2010

NPT2010

참조 용

부품 번호 NPT2010
PNEDA 부품 번호 NPT2010
설명 HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ
제조업체 M/A-Com Technology Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 2,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 30 - 2월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NPT2010 리소스

브랜드 M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NPT2010
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NPT2010, NPT2010 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,669.85 KB)
PDFNPT2010 데이터 시트 표지
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NPT2010 사양

제조업체M/A-Com Technology Solutions
시리즈-
트랜지스터 유형HEMT
주파수0Hz ~ 2.2GHz
이득15dB
전압-테스트48V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력95W
전압-정격48V
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

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NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

136MHz ~ 941MHz

이득

-

전압-테스트

10.8V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

8.4W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

17.3dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

12dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

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BLF248,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

225MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

25A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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